中国科学院研究团队宣布，成功研发出全固态DUV（深紫外）激光技术，相关论文已在《先进光学通讯》发表。该技术可发射193nm相干光，能将半导体工艺推进至3nm水平。

目前主流光刻机厂家如ASML、佳能和尼康采用的是氟化氙（ArF）准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子。

中国科学院的固态DUV激光采用自制的掺镱钇铝石榴石（Yb:YAG）晶体，生成1030nm的激光，经过两路波长转换之后混合，成功输出193nm涡旋光束。这是国际上首次实现固态激光器直接输出193nm激光光束。

实验数据显示，该技术的光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当，但频率只有ASML的三分之二，输出功率只有0.7%的水平。